Laptop po naprawie układu zasilania nagrzewa się bardziej niż przed awarią, a temperatura podzespołów podczas normalnej pracy jest wyraźnie wyższa. Nadmierne grzanie po wymianie elementów zasilania może wskazywać na kilka problemów: zastosowanie zamiennika o zbyt wysokiej rezystancji R(DS)on, błędne ustawienie prądów faz VRM, brak przywrócenia padów termicznych na nowych MOSFET-ach lub niekompletną naprawę (jeden z elementów nadal pracuje z uszkodzeniem).
Nasz serwis weryfikuje temperatury pracy po każdej naprawie VRM i w razie potrzeby optymalizuje elementy termiczne układów zasilania.
Przyczyny nadmiernego grzania po wymianie VRM
- Zamiennik MOSFET z wyższym R(DS)on – jeśli użyty zamiennik ma 2× wyższy R(DS)on niż oryginał, straty mocy w tranzystorze są 2× wyższe; przy prądzie 20 A i R(DS)on = 5 mΩ straty to 2 W, a przy 10 mΩ – 4 W na MOSFET; różnica jest wyraźna termowizyjnie
- Brak lub nieprawidłowy pad termiczny na MOSFET-ach – w laptopach gamingowych MOSFET-y VRM często mają pady termiczne do radiatora lub obudowy; ich brak po wymianie podnosi temperaturę MOSFET-ów o 15–30°C
- Uszkodzona faza pracuje jako opornik – niepełna naprawa (wymieniony jeden MOSFET z pary) powoduje, że uszkodzony element w fazie działa jako opór, generując ciepło bez efektywnej konwersji napięcia
- Zbyt agresywna konfiguracja prądu fazy po wymianie kontrolera PWM – nowy kontroler z domyślnymi ustawieniami może mieć wyższy limit prądu fazy niż oryginał, powodując wyższe obciążenie MOSFET-ów
Weryfikacja termiczna po naprawie VRM
Po każdej naprawie VRM wykonujemy: pomiar temperatury MOSFET-ów termowizją pod obciążeniem (norma: poniżej 85°C), porównanie z wartościami referencyjnymi z bazy danych modelu, weryfikację prawidłowego montażu padów termicznych. Jeśli temperatura jest za wysoka, wymieniamy MOSFET-y na modele o niższym R(DS)on i optymalizujemy termikę. Gwarancja do 12 miesięcy.
